STMicroelectronics Darlington-Transistor 4 50 V 1.75 A NPN, Power DIP-16 16-Pin

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

4

Betriebstemperatur min.

-20°C

Gehäusegröße

Power DIP-16

Höhe

5.1mm

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

50V

Länge

2mm

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))

1.4V

Maximale Verlustleistung (Pd)

4.3W

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)

1.75A