STMicroelectronics Darlington-Transistor 1 80 V 5 A NPN HFE:1000, TO-220 3-Pin

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

-65°C

DC-Stromverstärkung min. (hFE)

1000

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

5V

Gehäusegröße

TO-220

Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)

80V

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

80V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))

2V

Maximale Verlustleistung (Pd)

65W