STMicroelectronics Darlington-Transistor 1 60 V 4 A NPN HFE:750, SOT-32 3-Pin
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Betriebstemperatur min.
- -65°C
- DC-Stromverstärkung min. (hFE)
- 750
- Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
- 5V
- Gehäusegröße
- SOT-32
- Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
- 60V
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 60V
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
- 2.5V
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 40W
- Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)
- 4A
- Montageart
- Durchsteckmontage
- Pinanzahl
- 3
- Polarität des Transistors
- NPN
- Produkt Typ
- Darlington-Transistor
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Darlington-Transistor
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic = 4A
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 60V
Gehäusegröße = SOT-32
Montageart = Durchsteckmontage
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
DC-Stromverstärkung min. hFE = 750
Maximale Verlustleistung Pd = 40W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 10.8mm
Kollektor-Sperrstrom max. = 0.2mA
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Darlington Transistoren
- GTIN
- 5059042804638
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