Semikron Danfoss IGBT-Modul / 422 A, 0.9 V, 7-Pin SEMITRANS 3 GB Typ N-Kanal Oberfläche
Technische Daten
- Anzahl an Transistoren
- 2
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)
- 20 V
- Gehäusegröße
- SEMITRANS 3 GB
- Höhe
- 30.5mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 0.9V
- Länge
- 106.4mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
- 2.1V
- Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)
- 422A
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 7
- Produkt Typ
- IGBT-Modul
- Schaltgeschwindigkeit
- 20kHz
Produktbeschreibung
Das SEMIKRON semitrans 3 Fast IGBT 4-Modul gehört zur IGBT4-Generation, die eine bevorzugte Wahl für Anwendungen wie elektronische Schweißgeräte bei Schaltfrequenzen von bis zu 20 kHz, AC-Wechselrichterantriebe und USV sein kann. Der Chipsatz bietet eine isolierte Kupfergrundplatte mit DBC-Technologie (Direct Bonded Copper) und in das Modul integrierte Soft-Switching-CAL-Diode der 4. Generation.Integrierter Gate-Widerstand Verbesserte Leistungswechselfunktion und weiches Schalten IGBTs der Serie zwei Betriebstemperatur = -40 bis 150 °C.
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT