Semikron Danfoss IGBT-Modul / 313 A, 1200 V, 7-Pin SEMITRANS Typ N-Kanal Panel
Technische Daten
- Anzahl an Transistoren
- 2
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)
- 20 V
- Gehäusegröße
- SEMITRANS
- Höhe
- 30mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 1200V
- Länge
- 106.4mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
- 2.05V
- Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)
- 313A
- Montageart
- Panel
- Pinanzahl
- 7
- Produkt Typ
- IGBT-Modul
- Schaltgeschwindigkeit
- 12kHz
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IGBT
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT