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Semikron Danfoss IGBT-Modul / 160 A, 1200 V SEMITRANS 2 GAL Typ N-Kanal Oberfläche

Marke: Semikron Danfoss

Hersteller Artikel-Nr.: SKM100GAL12T4

Produkt-Nr.: P-C3PN3V

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-40°C
Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)
20 V
Gehäusegröße
SEMITRANS 2 GAL
Höhe
30mm
Kabelkanaltyp
Typ N
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
1200V
Länge
94mm
Maximale Betriebstemperatur
175°C
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
2.4V
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)
160A

Produktbeschreibung

Das schnelle IGBT 4-Modul SEMIKRON semitrans 2-Gehäuse gehört zur IGBT4-Generation, die eine bevorzugte Wahl für Anwendungen wie Hybrid- oder Elektrofahrzeuge, elektronische Schweißgeräte mit Schaltfrequenzen von bis zu 20 kHz, DC/DC-Wandler, Brems-Chopper und Schaltabwärtsmotor sein kann. Der Chipsatz bietet eine isolierte Kupfergrundplatte mit DBC-Technologie (Direct Bonded Copper) und in das Modul integrierte Soft-Switching-CAL-Diode der 4. Generation.Integrierter Gate-Widerstand Verbesserte Leistungswechselfunktion und weiches Schalten Betriebstemperatur = -40 bis 150 °C.

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
IGBT