Semikron Danfoss IGBT-Modul / 160 A, 1200 V SEMITRANS 2 GAL Typ N-Kanal Oberfläche
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)
- 20 V
- Gehäusegröße
- SEMITRANS 2 GAL
- Höhe
- 30mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 1200V
- Länge
- 94mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
- 2.4V
- Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)
- 160A
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- UL, File no. E63532
- Produkt Typ
- IGBT-Modul
- Schaltgeschwindigkeit
- 20kHz
- Serie
- SKM100GAL12T4
Produktbeschreibung
Das schnelle IGBT 4-Modul SEMIKRON semitrans 2-Gehäuse gehört zur IGBT4-Generation, die eine bevorzugte Wahl für Anwendungen wie Hybrid- oder Elektrofahrzeuge, elektronische Schweißgeräte mit Schaltfrequenzen von bis zu 20 kHz, DC/DC-Wandler, Brems-Chopper und Schaltabwärtsmotor sein kann. Der Chipsatz bietet eine isolierte Kupfergrundplatte mit DBC-Technologie (Direct Bonded Copper) und in das Modul integrierte Soft-Switching-CAL-Diode der 4. Generation.Integrierter Gate-Widerstand Verbesserte Leistungswechselfunktion und weiches Schalten Betriebstemperatur = -40 bis 150 °C.
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT