Semikron Danfoss IGBT-Modul / 150 A, 1200 V 78 W, 70-Pin SEMITOP4 Typ N-Kanal Oberfläche
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)
- 20 V
- Gehäusegröße
- SEMITOP4
- Höhe
- 15.08mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 1200V
- Länge
- 55mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
- 2.05V
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 78W
Produktbeschreibung
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic = 150A
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 1200V
Maximale Verlustleistung Pd = 78W
Gehäusegröße = SEMITOP4
Montageart = Oberfläche
Kabelkanaltyp = Typ N
Pinanzahl = 70
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO = 20 V°C
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Breite = 60.25 mmmm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT