Semikron Danfoss IGBT-Modul / 1.1 kA, 1200 V, 11-Pin SEMiX3p Typ N-Kanal Oberfläche

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)

20 V

Gehäusegröße

SEMiX3p

Höhe

17mm

Kabelkanaltyp

Typ N

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

1200V

Länge

150mm

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))

2.4V

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)

1.1kA