Semikron Danfoss IGBT-Modul / 100 A Zweifach-Halbbrücke, 1200 V, 7-Pin SEMITRANS Typ N-Kanal Panel

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

2

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)

20 V

Gehäusegröße

SEMITRANS

Höhe

30.5mm

Kabelkanaltyp

Typ N

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

1200V

Konfiguration

Zweifach-Halbbrücke

Länge

94.5mm

Maximale Betriebstemperatur

150°C