ROHM Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 4 A 2 W HUML2020L8

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

70mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

4.3nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

HUML2020L8

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

4A