ROHM Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 60 V / 4 A 2 W, 8-Pin DFN

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

P

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

890mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

17.3nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

DFN

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

4A