ROHM Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 6 A 2 W, 8-Pin DFN
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- P
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 40V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 400mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- -1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 17.2nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 20V
- Gehäusegröße
- DFN
- Kabelkanaltyp
- Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 6A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 2W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
Produktbeschreibung
Der Rohm Leistungs-MOSFET hat den Gehäusetyp DFN2020-8S. Er wird hauptsächlich zum Schalten und Lastschalten verwendet.Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Kleines vergossenes Hochleistungsgehäuse Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform Halogenfrei
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET