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ROHM Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 6 A 2 W, 8-Pin DFN

Marke: ROHM

Hersteller Artikel-Nr.: RF4G060ATTCR

Produkt-Nr.: P-DRF4VN

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
P
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
40V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
400mΩ
Durchlassspannung (Vf)
-1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
17.2nC
Gate-Source-spannung max (Vgs)
20V
Gehäusegröße
DFN
Kabelkanaltyp
Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
6A

Produktbeschreibung

Der Rohm Leistungs-MOSFET hat den Gehäusetyp DFN2020-8S. Er wird hauptsächlich zum Schalten und Lastschalten verwendet.Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Kleines vergossenes Hochleistungsgehäuse Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform Halogenfrei

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET