ROHM Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 5 A 1.25 W, 6-Pin TSMT-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

40mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

22nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

TSMT-8

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

5A

Maximale Betriebstemperatur

150°C