ROHM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 4 A 58 W, 3-Pin TO-252

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.05Ω

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

15nC

Gehäusegröße

TO-252

Höhe

10.4mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

4A

Länge

6.4mm