ROHM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 11 A 125 W, 3-Pin TO-252

Name: ROHM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 11 A 125 W, 3-Pin TO-252
Brand: ROHM
Price: 2.73 EUR
Availability: OutOfStock

Marke: ROHM

Hersteller Artikel-Nr.: R6511END3TL1

Produkt-Nr.: P-DRDBP8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 650V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 400mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 32nC
Gate-Source-spannung max (Vgs): 20V
Gehäusegröße: TO-252
Höhe: 10.4mm
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 11A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 125W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 11A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 650V
Gehäusegröße = TO-252
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 400mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 32nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 6.4mm
Automobilstandard = Nein

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