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ROHM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 6.5 A 2 W, 8-Pin SOP

Marke: ROHM

Hersteller Artikel-Nr.: SH8KC6TB1

Produkt-Nr.: P-DRDBSC

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
60V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
32mΩ
Durchlassspannung (Vf)
1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
7.6nC
Gate-Source-spannung max (Vgs)
20V
Gehäusegröße
SOP
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
6.5A

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 6.5A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = SOP
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 32mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 2W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 5.2mm
Automobilstandard = Nein

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET