ROHM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 10.5 A 2 W, 8-Pin SOP

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

12.4mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

22nC

Gehäusegröße

SOP

Höhe

5.2mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

10.5A