ROHM Silizium-Verbindung Einfach 500 mA 200 V Oberfläche TO-252GE 3-Pin
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Diodenkonfiguration
- Einfach
- Gehäusegröße
- TO-252GE
- Höhe
- 2.3mm
- Länge
- 10mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Durchlassspannung (Vf)
- 0.92V
- Maximale Spitzensperrwiederholspannung (Vrrm)
- 200V
- Maximaler Durchlassstrom (If)
- 500mA
- Montageart
- Oberfläche
- Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom (Ifsm)
- 40A
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- Silizium-Verbindung
- Spitzensperrverzögerungszeit (trr)
- 25ns
- Subtyp
- Siliziumverbindung
Produktbeschreibung
Diodenkonfiguration = EinfachmA
Subtyp = Siliziumverbindung
Gehäusegröße = TO-252GE
Pinanzahl = 3
Spitzensperrverzögerungszeit trr = 25ns
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 10mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Schaltdioden