ROHM SH8 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 8 A 2 W, 6-Pin SOP-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

20.9mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

19.8nC

Gehäusegröße

SOP-8

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

8A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

2W