ROHM SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 21 A 100 W, 7-Pin TO-263-7

Technische Daten

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

120mΩ

Durchlassspannung (Vf)

3.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

38nC

Gehäusegröße

TO-263-7

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

21A

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

100W