ROHM SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 24 A 93 W, 7-Pin TO-263-7LA

Technische Daten

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

1200V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

81mΩ

Durchlassspannung (Vf)

3.3V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

64nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

21 V

Gehäusegröße

TO-263-7LA

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

24A

Maximale Betriebstemperatur

175°C