ROHM SCT N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 29 A, 7-Pin TO-263-7
Technische Daten
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 29 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 80 mO
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5.6V
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 7
- Serie
- SCT
- Transistor-Werkstoff
- SiC
Produktbeschreibung
Dauer-Drainstrom max. = 29 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = SCT
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 80 mO
Gate-Schwellenspannung max. = 5.6V
Transistor-Werkstoff = SiC
Der Rohm N-Kanal-Leistungs-MOSFET verfügt über sehr schnelles Schalten und niedrigen Widerstand. Er wird hauptsächlich in Solarwechselrichtern, DC/DC-Wandlern, Motorantreitern und Induktionsheizungen eingesetzt.Einfach anzutreiben Einfach zu parallel
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
