ROHM RYC002N05 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 200 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23

Name: ROHM RYC002N05 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 200 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23
Brand: ROHM
Price: 0.12 EUR
Availability: InStock

Marke: ROHM

Hersteller Artikel-Nr.: RYC002N05T316

Produkt-Nr.: P-DP885V

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 50V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 9Ω
Durchlassspannung (Vf): 1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 26nC
Gehäusegröße: SOT-23
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 200mA
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 350mW
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: RYC002N05

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 200mA
Drain-Source-Spannung Vds max. = 50V
Gehäusegröße = SOT-23
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 9Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 26nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 3.1mm
Automobilstandard = Nein

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