ROHM RV8 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 20 V / 1 A 1 W, 3-Pin DFN
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- N
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 20V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 470mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gehäusegröße
- DFN
- Höhe
- 0.4mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 1A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 1W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- RV8
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET