ROHM RV2E014AJ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.4 A 600 mW, 3-Pin SMD

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

290mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gehäusegröße

SMD

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

1.4A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

600mW