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ROHM RUR020N02 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2 A 1 W, 3-Pin TSMT

Marke: ROHM

Hersteller Artikel-Nr.: RUR020N02TL

Produkt-Nr.: P-DRL8CS

Technische Daten

Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
20V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
240mΩ
Durchlassspannung (Vf)
1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
2nC
Gehäusegröße
TSMT
Höhe
0.95mm
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
2A
Maximale Betriebstemperatur
150°C

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 2A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 20V
Gehäusegröße = TSMT
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 240mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 2nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 3mm
Automobilstandard = Nein

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059043106410