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ROHM RUM002N05 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 200 mA 150 mW, 3-Pin ESM

Marke: ROHM

Hersteller Artikel-Nr.: RUM002N05T2L

Produkt-Nr.: P-DRL8CR

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
50V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
7.2Ω
Durchlassspannung (Vf)
1.2V
Gehäusegröße
ESM
Höhe
0.5mm
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
200mA
Maximale Betriebstemperatur
150°C

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 200mA
Drain-Source-Spannung Vds max. = 50V
Gehäusegröße = ESM
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 7.2Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 150mW
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 1.2mm
Automobilstandard = Nein

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059043801681