ROHM RUM002N02 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 200 mA 150 mW, 3-Pin ESM

Name: ROHM RUM002N02 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 200 mA 150 mW, 3-Pin ESM
Brand: ROHM
Price: 0.1 EUR
Availability: InStock

Marke: ROHM

Hersteller Artikel-Nr.: RUM002N02T2L

Produkt-Nr.: P-DRL8CP

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 20V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 4.8Ω
Durchlassspannung (Vf): 1.2V
Gehäusegröße: ESM
Höhe: 0.45mm
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 200mA
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 150mW
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: RUM002N02

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 200mA
Drain-Source-Spannung Vds max. = 20V
Gehäusegröße = ESM
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 4.8Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 150mW
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 1.3mm
Automobilstandard = Nein

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