ROHM RUM001L02 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V 150 mW, 3-Pin ESM
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 20V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 3.5Ω
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gehäusegröße
- ESM
- Höhe
- 0.45mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- Länge
- 1.3mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 150mW
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- RUM001L02
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
Drain-Source-Spannung Vds max. = 20V
Gehäusegröße = ESM
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 3.5Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 150mW
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 1.3mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043798899