ROHM RUF025N02 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.5 A 800 mW, 3-Pin SOT-323
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 20V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 160mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 5nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 10V
- Gehäusegröße
- SOT-323
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 2.5A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 800mW
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- RUF025N02
Produktbeschreibung
Leistungs-MOSFETs werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.Antriebstyp mit niedrige Spannung (1,5V) N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET Kleines SMD-Gehäuse Bleifrei
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059045254461