ROHM RUF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 20 V / 2.5 A 0.8 W, 3-Pin TUMT
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- N
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 20V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 540mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 5nC
- Gehäusegröße
- TUMT
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 2.5A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 0.8W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- RUF
Produktbeschreibung
Der Rohm-MOSFET mit kleinem Signal und niedrigem Einschaltwiderstand und kleinem Gehäuse. Er wird für Schaltanwendungen verwendet.Bleifrei RoHS-konform
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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