ROHM RU1C002ZP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 200 mA 150 mW, 3-Pin SOT-323
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 20V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 1.2Ω
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 1.4nC
- Gehäusegröße
- SOT-323
- Kabelkanaltyp
- Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 200mA
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 150mW
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- RU1C002ZP
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 200mA
Drain-Source-Spannung Vds max. = 20V
Gehäusegröße = SOT-323
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 1.2Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 1.4nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 2.1mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043801056