ROHM RS7N200 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V / 230 A 180 W, 8-Pin DFN5060-8S
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 80V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 2mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 92nC
- Gehäusegröße
- DFN5060-8S
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 230A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 180W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- Einfache MOSFETs
- Serie
- RS7N200
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Einfache MOSFETs
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 230A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 80V
Gehäusegröße = DFN5060-8S
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 2.0mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 92.0nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = Halogen Free, Pb Free, RoHS
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET