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ROHM RS1 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 43 A 40 W, 8-Pin HSOP-8

Marke: ROHM

Hersteller Artikel-Nr.: RS1N110ATTB1

Produkt-Nr.: P-DRGBWV

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
80V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
21mΩ
Durchlassspannung (Vf)
1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
135nC
Gehäusegröße
HSOP-8
Kabelkanaltyp
Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
43A
Maximale Betriebstemperatur
150°C

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 43A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 80V
Gehäusegröße = HSOP-8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 21.0mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 135nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = No
Automobilstandard = Nein

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET