ROHM RRF015P03 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.5 A 800 mW, 3-Pin TUMT

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

230mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

6.4nC

Gehäusegröße

TUMT

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

1.5A

Maximale Betriebstemperatur

150°C