ROHM RQ7L050AT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 60 V / 5 A 1.5 W, 8-Pin TSMT

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

P

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

390mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

38nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

TSMT

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

5A