ROHM RQ7G080AT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 8 A 1.5 W, 8-Pin TSMT

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

P

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

18mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

37nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

TSMT

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

8A