ROHM RQ6E050AT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 5 A 1.25 W, 6-Pin TSMT-6

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

38mΩ

Gate-Source-spannung max (Vgs)

18V

Gehäusegröße

TSMT-6

Höhe

0.95mm

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

5A

Maximale Betriebstemperatur

150°C