ROHM RQ5H020SP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 45 V / 2 A 1 W, 3-Pin TSMT
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 45V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 280mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- -1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 9.5nC
- Gehäusegröße
- TSMT
- Kabelkanaltyp
- Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 2A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 1W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- RQ5H020SP
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 2A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 45V
Gehäusegröße = TSMT
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 280mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 9.5nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 3mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043065069