ROHM RQ5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V 1 W, 3-Pin TSMT-3
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 60V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 32mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 7.6nC
- Gehäusegröße
- TSMT-3
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 1W
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- No
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- RQ5
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = TSMT-3
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 32mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 1W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = No
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET