ROHM RQ5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V 1 W, 3-Pin TSMT-3

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

60mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

6.7nC

Gehäusegröße

TSMT-3

Kabelkanaltyp

Typ N

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

1W