ROHM RQ3P120BKFRA Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 100 V 40 W, 8-Pin HSMT-8AG
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 100V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 58mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 6.9nC
- Gehäusegröße
- HSMT-8AG
- Höhe
- 0.9mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- Länge
- 3.3mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 40W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- Einfache MOSFETs
- Serie
- RQ3P120BKFRA
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Einfache MOSFETs
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Gehäusegröße = HSMT-8AG
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 58mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 6.9nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 3.30mm
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET