ROHM RQ3N060AT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 18 A 20 W, 8-Pin HSOP-8

Name: ROHM RQ3N060AT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 18 A 20 W, 8-Pin HSOP-8
Brand: ROHM
Price: 0.64 EUR
Availability: InStock

Marke: ROHM

Hersteller Artikel-Nr.: RQ3N060ATTB1

Produkt-Nr.: P-DRHPB8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 80V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 52mΩ
Durchlassspannung (Vf): -1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 50nC
Gehäusegröße: HSOP-8
Kabelkanaltyp: Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 18A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 20W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: RQ3N060AT

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 18A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 80V
Gehäusegröße = HSOP-8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 52mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 50nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = RoHS
Automobilstandard = Nein

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