ROHM RQ3N, Oberfläche MOSFET 80 V / 10 A 15 W, 8-Pin HSMT-8

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

80V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

126mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

22nC

Gehäusegröße

HSMT-8

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

10A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

15W