ROHM RQ3 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 27 A 69 W, 8-Pin HSMT-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

22mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gehäusegröße

HSMT-8

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

27A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

69W