ROHM RQ3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 20 A 15 W, 8-Pin HSMT-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

24.7mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

7.6nC

Gehäusegröße

HSMT-8

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

20A

Maximale Betriebstemperatur

150°C