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ROHM RQ3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V 14 W, 8-Pin HSMT-8

Marke: ROHM

Hersteller Artikel-Nr.: RQ3L060BGTB1

Produkt-Nr.: P-DRD2C8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
60V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
38mΩ
Durchlassspannung (Vf)
1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
5.5nC
Gehäusegröße
HSMT-8
Kabelkanaltyp
Typ N
Maximale Betriebstemperatur
150°C
Maximale Verlustleistung (Pd)
14W

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = HSMT-8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 38mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 5.5nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = No
Automobilstandard = Nein

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET