ROHM RQ3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A 40 W, 8-Pin HSMT-8

Name: ROHM RQ3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A 40 W, 8-Pin HSMT-8
Brand: ROHM
Price: 0.56 EUR
Availability: InStock

Marke: ROHM

Hersteller Artikel-Nr.: RQ3L120BKFRATCB

Produkt-Nr.: P-DRLCVD

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 60V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 3mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.5V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 7.3nC
Gehäusegröße: HSMT-8
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 12A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 40W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: RQ3

Produktbeschreibung

Kabelkanaltyp = Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 12A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = HSMT-8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 3mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 7.3nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = AEC-Q101
Automobilstandard = AEC-Q101

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