ROHM RQ1 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 7 A 1.5 W, 8-Pin TSMT-8
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 12V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 12mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 58nC
- Gehäusegröße
- TSMT-8
- Kabelkanaltyp
- Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 7A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 1.5W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- RQ1
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 7A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 12V
Gehäusegröße = TSMT-8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 12mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 58nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = AEC-Q101
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET