ROHM RJ1 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 150 V 89 W, 3-Pin TO-263AB
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 150V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 27mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 37nC
- Gehäusegröße
- TO-263AB
- Höhe
- 4.77mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- Länge
- 15.5mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 89W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- Einfache MOSFETs
- Serie
- RJ1
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Einfache MOSFETs
Drain-Source-Spannung Vds max. = 150V
Gehäusegröße = TO-263AB
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 27mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 89W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 15.5mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET